[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-13] 電場下の金属/半導体界面における欠陥の挙動;その理論的検討

〇(M2)長澤 立樹¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：金属/半導体界面