[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値

〇堀田 昌宏¹、須田 淳^1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，MOVPE成長ホモエピn-GaNに対して，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．電子線照射によって, N変位を支配的に発生させたGaNで観測される深い準位EE1およびEE2に対して, 今回は, 電子線の照射エネルギー依存性について調べたので報告する. 照射エネルギーを減少させていくと, 100 keVにおいて, EE1およびEE2ピークの一部であるEE2aが消失することが分かった. これらは, それぞれV_NおよびN_Iであると推察される. よって, これらの欠陥形成エネルギーしきい値は100~137 keVであると言える.