10:15 〜 10:30 [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 〇堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研)