[20a-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20a-331-8] Distribution of Net Donor Concentration in Low-doped N-type GaN
Grown on 4-inch Sapphire substrates by Multi-wafer MOVPE Reactor

〇(M1)Keisuke Sakao¹, Masahiro Horita², Jun Suda^1,2,3, Guanxi Piao⁴, Yuya Yamamoto⁴, Yoshiki Yano⁴, Koh Matsumoto⁴ (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMASS, 4.Taiyo Nippon Sanso Corp.)

Keywords:Gallium nitride, MOVPE, net donor concentration

サファイア基板上に量産機を用いてMOVPE成長した4インチn型GaNの実効ドナー密度の分布を測定した。その結果実効ドナー密度は同心円状に変化し、中央から端にかけて緩やかに減少する傾向が得られた。
また５/３比などのGaN作製条件やウェハのSi濃度に応じて減少傾向は変化することが分かり、特に５/３比の違いによる変化を炭素濃度の分布によって引き起こされたと推察した