[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-331-8] マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上に
MOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布

〇(M1)坂尾 佳祐¹、堀田 昌宏²、須田 淳^1,2,3、朴 冠錫⁴、山岡 優哉⁴、矢野 良樹⁴、松本 功⁴ (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研、4.大陽日酸)

キーワード：窒化ガリウム、MOVPE、実効ドナー密度

サファイア基板上に量産機を用いてMOVPE成長した4インチn型GaNの実効ドナー密度の分布を測定した。その結果実効ドナー密度は同心円状に変化し、中央から端にかけて緩やかに減少する傾向が得られた。
また５/３比などのGaN作製条件やウェハのSi濃度に応じて減少傾向は変化することが分かり、特に５/３比の違いによる変化を炭素濃度の分布によって引き起こされたと推察した