[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-331-9] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ

〇(M1)青島 慶人¹、鐘ヶ江 一孝²、堀田 昌宏²、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、ガンマ線、点欠陥

窒化ガリウム(GaN)は、宇宙空間や原子炉において使用されるエレクトロニクス機器の耐放射線デバイス材料として期待されている。本研究では、ホモエピ成長n型GaNに対してガンマ線を照射してDLTSを行うことにより、ガンマ線照射により生成される電子トラップの解明を目指している。今回は、深さが約1 eVと非常に深い準位であるG2トラップの密度やスペクトルを正確に得るために、測定に用いるショットキー障壁高さに着目した評価を行った。