[20a-CE-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-CE-1] 多結晶シリコン中の結晶粒界の抵抗揺らぎに関する物理モデル化

〇宝玉 充¹、泉田 貴士¹、谷本 弘吉¹、青木 伸俊¹、尾上 誠司¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：多結晶シリコン、抵抗揺らぎ、トラップ補助型トンネリング

多結晶シリコン中の結晶粒界の抵抗揺らぎに関して、負の温度依存性を有するキャリア移動度が再現可能な、マルチフォノン遷移理論に基づくトラップ補助型トンネリングを用いて、計算した。しきい値付近での結晶粒界1個あたりの電流揺らぎは、±3σ換算で1桁と見積られ、単結晶チャネルでの場合と比べて明らかに大きいことが分かった。