[20a-CE-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-CE-10] UTB-GeOI 構造の超平坦化による正孔移動度向上

〇張 文馨¹、入沢 寿史¹、石井 裕之¹、内田 紀行¹、前田 辰郎¹ (1.産総研)

キーワード：GeOI、MOSFET、移動度

薄膜 Ge チャネル構造(UTB-GeOIや Ge-Fin)は微細化には必須の構造である。しかしながら、絶縁体で挟まれた Ge チャ ネルは、界面の不安定性や膜厚ばらつきの ため、本来の性能が得られないのが現状で ある。本研究では、独自に開発した HELLO法とDozen Digital Etching (DDE)法を用い、 超平坦かつ膜厚ばらつきが極めて少ないGeOI 構造を作成した。その結果、膜厚揺らぎ散乱抑制効果などにより、従来の手法 と較べ正孔移動度を 2 倍程度に向上させる ことに成功した。