[20a-CE-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-CE-9] GaAsSb/InAs ナノワイヤバックワードダイオードの2.4GHz 感度特性

〇高橋 剛^1,2、河口 研一^1,2、佐藤 優^1,2、岡本 直哉^1,2、須原 理彦³ (1.富士通、2.富士通研、3.首都大)

キーワード：ナノワイヤ、バックワードダイオード、感度

環境電波発電用の高効率な電力変換素子として、p-GaAsSb/n-InAsをVLS成長したナノワイヤ型バックワードダイオードを検討した。ナノワイヤの本数によってRF特性が異なり、96本および730本の時に2.4GHzマイクロ波の検波ができた。特に96本のナノワイヤを束ねた場合に25kV/Wの感度を得ることができた。ナノワイヤバックワードダイオードにおいて、始めて検波感度を取得することに成功した。