[20a-PA1-1~11] 7 ビーム応用（ポスター）

[20a-PA1-10] ヘキサメチルジシラザンの解離フラグメントによる低エネルギーケイ素分子イオンビームの生成

〇吉村 智¹、杉本 敏司¹、竹内 孝江²、村井 健介³、木内 正人^3,1 (1.阪大工、2.奈良女大、3.産総研)

キーワード：ヘキサメチルジシラザン

シリコンを含有する材料の成膜においては、通常はシランを主原料として用いることが多い。シランは自己発火性をもつ危険性の高いガスであるため、可燃性はあるが比較的安全に扱うことのできる、ヘキサメチルジシラザン（HMDS）を原料として用いた窒化ケイ素膜の成膜実験が盛んに行われている。本研究では、フリーマン型イオン源において、HMDSの解離により生成されるフラグメントイオン種を明らかにした。また、HMDSから生成したSiCH₅⁺イオンビームをシリコン基板に照射し、成膜実験を行った。イオンビームのエネルギーは、100eVとした。基板温度は800℃とした。膜の分析の結果、窒素を含有するシリコンカーバイド（SiC）が生成されていることを確認した。