[20a-PA3-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-PA3-1] 直接通電加熱によるGe単結晶の低温変形とパターン転写

〇阪本 大樹¹、徳弘 快¹、清水 雅弘¹、下間 靖彦¹、三浦 清貴¹、八戸 啓² (1.京大院工、2.株式会社プラウド)

キーワード：ゲルマニウム、変形、SPS

通常、放電プラズマ焼結（SPS）法は粉体を焼結する際に用いられる手法であるが、我々はCZ-Si単結晶をSPS法により処理することで短時間で透過率を維持しつつ変形させることに成功した。本研究では同族のGeについても同様の手法を用いて変形させることができることを確認し、物性をFT-IR、EBSDを用いて測定した。さらに、FIBを用いて表面にパターニングしたSi単結晶をモールドとし、SPS法によりGe単結晶にモールドのパターンを転写することを試みた。