[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-10] InGaAs nチャネルMOSFETにおける界面準位発生と基板ホール電流の関係

〇(D)尹 尚希¹、安 大煥¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学)

キーワード：信頼性、界面準位、基板ホール電流

Al2O3/InGaAs MOS界面に対して界面準位生成と基板ホール電流の関係を調べるために3nm Al2O3を絶縁膜とするInGaAs nチャネルMOSFETを用いて調べた。ソース、ドレイン、基板を接地した状態で正の電圧ストレスを加えると、セパレーション法によって基板からホール量が測定できた。その結果、界面準位発生量は同じホール量に対してストレス電圧を変えても一定になった。これから、Al2O3/InGaAs MOS界面に対して電気ストレスによって発生した界面準位はホール量の関数として決定されることがわかる。