[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-6] AlONゲート絶縁膜へのHf原子混入効果に関する理論的研究

〇(M2)名倉 拓哉¹、長川 健太¹、洗平 昌晃^1,2、細井 卓治³、渡部 平司³、押山 淳²、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.阪大院工)

キーワード：AlON、第一原理計算

AlONゲート絶縁膜へのHf原子混入効果に関して、第一原理計算を用いて検討した。結果、AlONの構造によっては、N原子2p軌道由来の新たな準位がバンド構造に現れることが分かった。この準位は価電子帯上端に存在する為、先行研究で報告されているAlONゲート絶縁膜で発生するホールリーク電流は、この準位を介して流れると考えられる。また、AlONにHf原子を混入させたモデルでは、この準位がバンドギャップ中から消滅することも確認された。