[20a-PA6-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[20a-PA6-2] A first-principles study on driving force for grain boundary segregation of impurities in silicon

Tatsuya Yokoi¹, 〇Yusuke Noda¹, Atsutomo Nakamura¹, Katsuyuki Matsunaga¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:multicrystalline silicon, grain boundary segregation, first-principles calculation

本研究では第一原理計算を用いて、シリコン対称傾角粒界における炭素および遷移金属不純物の偏析挙動の違いと偏析駆動力を解析した。本結果より、炭素は遷移金属に比べて、粒界から離れた位置でも粒界の影響を受け偏析エネルギーが正負に変化する傾向が示された。また遷移金属どうしも偏析挙動に差異が見られ、Niの偏析エネルギーは全体的に負となり、粒界偏析しやすい傾向があることが示唆された。