[20a-PA6-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-PA6-8] 放射光X線トポグラフィによるEFG法β-Ga₂O₃単結晶基板の転位評価

〇姚 永昭¹、菅原 義弘¹、石川 由加里¹、高橋 由美子²、平野 馨一³ (1.ファインセラミックスセンター、2.日本大、3.高エネ研)

キーワード：酸化ガリウム、X線トポグラフィ、転位

次世代パワー半導体酸化ガリウム(β-Ga2O3)においては、単結晶基板やエピ膜の転位がどのようにパワー素子に悪影響を及ぼすのが不明であり、結晶成長や素子不良解析の観点から転位評価が重要な課題となっている。本報では、放射光X線トポグラフィ（XRT）を用いたβ-Ga2O3単結晶基板の転位評価を報告する。