[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-6] 結晶セレン光電変換膜におけるp型NiOキャップ層の導入による電荷走行性の向上

〇為村 成亨¹、峰尾 圭忠¹、宮川 和典¹、難波 正和¹、大竹 浩¹、久保田 節¹ (1.NHK放送技術研究所)

キーワード：結晶セレン、酸化ニッケル、イメージセンサ

近年、撮像デバイスの多画素化により１画素あたりの入射光量の減少に伴う感度低下が課題とされてきた。我々は結晶セレン光電変換膜を信号読み出し回路上に積層することで高感度化な撮像デバイスの開発を目指している。本報告では、セレン結晶化時のキャップ層としてp型半導体であるNiOを適用することで、ITO/c-Se界面のショットキー障壁を解消し、正孔の走行性を向上させることで撮像動作における残像特性を改善した。