[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-8] シリコンの吸収端波長におけるレーザ光の自己変調

宮部 拡生¹、川瀬 陽介¹、〇斉藤 光徳¹ (1.龍谷大理工)

キーワード：シリコン、光変調、自己制御

厚さ50µmのシリコン板に波長1064nmのレーザを通すと、入力光強度を増すにつれて出力光強度が非線形に増大する現象が見られた。レーザ光の一部が吸収されて温度上昇が起こる現象と、温度変化により干渉ピークが移動してレーザ光の吸収率が変化する現象が相互作用することが原因と考えられる。また、厚さ30µmのシリコン板に830nmのレーザパルスを通すと、波形が減衰曲線を描く強度変調を受けるのが観測された。