[20p-133-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-133-7] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍のボイド構造解析 -a-Si:H中の陽電子消滅に対するドーピングの影響-

〇松木 伸行¹、松井 卓矢²、満汐 孝治²、ブライアン オローク²、大島 永康²、上殿 明良³ (1.神奈川大工、2.産総研、3.筑波大)

キーワード：a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池、陽電子消滅法、分光エリプソメトリー

我々は，a-Si:Hにおいて陽電子消滅法により決定されたボイドサイズと，光学定数との間に系統的な相関があることを見出し，a-Si:Hのボイドサイズを分光エリプソメトリーにより簡便に求める手法を提案した．これまで，少なくともドーピングしない場合においてa-Si:H作製条件を大幅に変化させた場合にもボイドサイズとa-Si:Hの光学定数との間の系統的な相関が普遍的に成り立つことを示唆する結果が得られた ．しかし，ボロンドープ試料においてはその相関関係が系統的変化から大きく乖離するという特異な現象が観察された．本研究では陽電子消滅におけるドップラー拡がりスペクトル変化の観察によりその原因解明を目指した．