[20p-133-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-133-7] Analysis of void structures near a-Si:H/c-Si heterointerfaces: Effect of doping on positron annihilation in a-Si:H

〇Nobuyuki Matsuki¹, Takuya Matsui², Koji Michishio², Brian O'Rourke², Nagayasu Oshima², Akira Uedono³ (1.Kanagawa Univ., 2.AIST, 3.Univ. Tsukuba)

Keywords:a-i:H/c-Si heterojunction solar cells, Positron annihilation spectroscopy, Spectroscopic ellipsometry

我々は，a-Si:Hにおいて陽電子消滅法により決定されたボイドサイズと，光学定数との間に系統的な相関があることを見出し，a-Si:Hのボイドサイズを分光エリプソメトリーにより簡便に求める手法を提案した．これまで，少なくともドーピングしない場合においてa-Si:H作製条件を大幅に変化させた場合にもボイドサイズとa-Si:Hの光学定数との間の系統的な相関が普遍的に成り立つことを示唆する結果が得られた ．しかし，ボロンドープ試料においてはその相関関係が系統的変化から大きく乖離するという特異な現象が観察された．本研究では陽電子消滅におけるドップラー拡がりスペクトル変化の観察によりその原因解明を目指した．