[20p-136-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [20p-136-1] GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線電子分光評価

〇(M2)原 智也¹、梁 剣波¹、荒木 健次²、神岡 武文²、ソダーバンル ハッサネット³、渡辺 健太郎³、杉山 正和³、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大、3.東大工)

キーワード：表面活性化接合、硬X線電子分光法、ITO

本研究では、GaAs薄層//ITO界面の硬X線分光(HAXPES)により熱処理による界面の結合状態の変化を評価した。Ga 2p_3/2 光電子スペクトルからGa-AsメインピークとGa-Oピークが観察され、400°Cの熱処理によりGa-O/Ga-As強度比が増加した。この結果からGaAs//ITO界面において熱処理後GaAsの酸化が進んでいると判断され、既に報告したGaAs//ITO/Si接合の界面抵抗の増加は界面の酸化による影響であることが考えられる。