[20p-136-1~11] 13.9 Compound solar cells

△ [20p-136-2] Fabrication of GaAs/Si double junctions by surface activated bonding and etching of sacrificial layers

〇(M1)Ryo Kozono¹, Sanji Yoon¹, Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ.)

Keywords:surface activated bonding, etching of sacrificial layers, multijunction solar cell

本研究ではGaAs単接合エピ基板とSi pn接合基板を接合後に犠牲層エッチングを用いてGaAs基板の分離に成功するとともにGaAs/Si 2接合太陽電池の作製に成功した。更にGaAs、Siの両サブセルが機能している事を実証したとともに比較用として従来方法である研磨とウエットエッチングによりGaAs基板を除去した試料との特性に大差はみられなかった。