[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

△ [20p-141-12] HfO₂強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニズムの解明

〇山口 まりな¹、藤井 章輔¹、株柳 翔一¹、上牟田 雄一¹、井野 恒洋¹、中崎 靖¹、高石 理一郎¹、市原 玲華¹、齋藤 真澄¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：強誘電体トンネル接合メモリ、HfO2

我々は、次世代不揮発メモリの候補となり得るnAオーダでの低電流動作、自己電流制限機能、整流性等の優れた性能を有するHfO₂ FTJの動作実証に成功した。本研究ではHfO₂ FTJの信頼性に焦点を当て、半導体デバイスの信頼性評価手法として良く知られるTDDB法と、メモリ素子特有の書き換えサイクル評価の2つの信頼性評価を組み合せることで、HfO₂ FTJの書き換え耐性の劣化メカニズムを詳細に調査した。