[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-2] ZrO₂シード層による強誘電体Hf_xZr_1-xO₂薄膜形成

〇生田目 俊秀¹、女屋 崇^1,2,3、澤本 直美²、大井 暁彦¹、池田 直樹¹、小椋 厚志² (1.物材機構、2.明治大学、3.学振特別研究員DC)

キーワード：強誘電体HfZrO、ZrO2シード層、原子層堆積法