[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-4] RFマグネトロンスパッタ法による高濃度Si(100)基板上へのHfO₂薄膜の形成

〇(M1)片岡 正和¹、Min Gee Kim¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工)

キーワード：強誘電体、酸化ハフニウム、結晶成長

強誘電体HfO₂薄膜は、Si基板上への形成が可能で、高速かつ低電圧で動作する強誘電体ゲートトランジスタへの応用が期待されている。今回、反応性スパッタ法を用いて、HfO₂薄膜の高濃度Si(100)基板上への形成に関する検討を行ったので報告する。