[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-6] STEM-EELS法による直方晶相ハフニア薄膜の結晶構造評価

〇木口 賢紀¹、白石 貴久¹、三村 和仙²、清水 荘雄²、舟窪 浩²、今野 豊彦¹ (1.東北大金研、2.東工大)

キーワード：ハフニア、電子エネルギー損失分光、STEM

本講演では、このYHO薄膜中における結晶相やドメイン構造の評価にSTEM-EELS法による局所状態分析を取り入れることによって、イメージングだけでは捉えることのできない結晶構造異方性、つまりドメイン配向や共存する単斜晶相の判別や結合状態の相違点について検討した結果について報告する。