[20p-144-1~12] Poly-Si TFTのルネサンスと新展開

[20p-144-11] IGZO薄膜トランジスタにおける水素化効果とフレキシブルデバイス

〇古田 守¹ (1.高知工大)

キーワード：InGaZnO、薄膜トランジスタ、フレキシブルデバイス

非晶質シリコンや多結晶シリコン薄膜中の水素は未結合手を補償しトランジスタ(TFT)特性を向上させることが知られている。近年注目を集めている酸化物半導体In-Ga-Zn-O(IGZO)における水素の働きは未だ議論の途上にある。我々はスパッタ製膜時に水素を導入した水素化IGZOを低温アニールすることにより欠陥準位を大幅に低減でき、フレキシブルデバイスに向けた低温プロセスTFTの特性を大幅に向上できることを示す。