[20p-211A-1~18] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[20p-211A-11] Zeeman splitting of Eu-ions in GaN:Eu epitaxial layer grown by MBE

〇Ryota Onoda¹, Hiroto Sekiguchi², Akihiro Wakahara², Toshihiro Nakaoka¹ (1.Sophia Univ., 2.Toyohashi Tech.)

Keywords:europium, gallium nitride, Zeeman splitting

固体中に添加された希土類原子は，外部環境の影響を受けずにその元素特有の量子準位を形成することが知られ，発光素子，将来の量子情報素子としての応用が研究されている。GaNにEuをドープした系ではEuの4f殻内遷移による高効率赤色発光が得られており，次世代発光素子として活発に研究されている。本研究では，MBE成長によるEuドープGaN薄膜において，Euイオンの⁵D₀-⁷F₂遷移に対応した発光ピークのゼーマン分裂を観測したのでこれを報告する。