[20p-211A-1~18] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[20p-211A-13] High Mobility Transportation and Phon Field Control by Si Nanopillar Structure

〇(P)Daisuke Ohori¹, Hidesato Kubota⁴, Atsushi Yamamoto³, Masayuki Murata³, Kazuhiko Endo^1,3, Seiji Samukawa^1,2,3 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST, 4.TUS)

Keywords:nanopillar, Neutral beam etching, bio template

本研究では、高さ90nm、直径14nm、間隔25nmのSiナノピラーをSi_0.7Ge_0.3で埋め込むことでフォノン場の制御を試みた。その結果、Hall効果測定よりSiと比較しておよそ3倍の正孔移動度が得られた。また、3ω法により面直方向の熱伝導率に対して、面内方向の熱伝導率は著しく小さくなり、異方性が大きいことが確認された。以上より、フォノン散乱によるキャリア移動度劣化を抑制できることが示唆された。