[20p-211A-1~18] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-211A-13] 無欠陥Siナノピラー構造によるフォノン場制御と高移動度キャリア輸送

〇(P)大堀 大介¹、久保山 瑛哲⁴、山本 淳³、村田 正行³、遠藤 和彦^1,3、寒川 誠二^1,2,3 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.東理大)

キーワード：ナノピラー、中性粒子ビームエッチング、バイオテンプレート

本研究では、高さ90nm、直径14nm、間隔25nmのSiナノピラーをSi_0.7Ge_0.3で埋め込むことでフォノン場の制御を試みた。その結果、Hall効果測定よりSiと比較しておよそ3倍の正孔移動度が得られた。また、3ω法により面直方向の熱伝導率に対して、面内方向の熱伝導率は著しく小さくなり、異方性が大きいことが確認された。以上より、フォノン散乱によるキャリア移動度劣化を抑制できることが示唆された。