[20p-212B-1~14] 11.4 Analog applications and their related technologies

[20p-212B-10] Evaluating current - voltage characteristics of NbN/AlN/NbN superconducting tunnel junction (STJ) deposited by atomic layer deposition

〇Masahiro Ukibe¹, Fujii Go¹, Shiki Shigetomo¹, ohkubo masataka¹ (1.AIST)

Keywords:NbN-STJ, ion detector, dissociative recombination reaction

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ（NbN-STJ）アレイ粒子検出器の開発を進めている。化学反応により原子一層ずつ目的とする物質を成膜する原子層堆積法(ALD)を用いてNbNの膜厚を100 nmとしたNbN/AlN/NbN多層膜を成膜し、Nb/Al-STJを作製するのと同様の微細加工プロセスを用いてNbN-STJアレイを作製、その超伝導特性及び電流電圧(I-V)特性を評価した。