[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-21] グラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導特性の観測

〇(B)青山 宏明¹、安田 和史¹、羽渕 仁恵¹、飯田 民夫¹、滝川 浩史² (1.岐阜高専、2.豊橋技科大)

キーワード：薄膜、窒化炭素、半導体

グラファイト状窒化炭素は光触媒性を持つことが報告されており、約2.8 eVのバンドギャップを持つ半導体である。これを薄膜にすることで電子デバイス材料に応用ができる。電気伝導特性は暗電流と光を照射したときの電流から検討できる。本研究ではSi基板上に合成したグラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導特性を観測することを目的としている。