[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-5] 電子線後方散乱回折法を用いたモザイクダイヤモンドの配向性評価

〇(M2)松下 晃生¹、松岡 実李¹、藤森 直治²、堂島 大地¹、小出 和典¹、金子 忠昭¹、鹿田 真一¹ (1.関学大理工、2.㈱EDP)

キーワード：ダイヤモンド

ダイヤモンドは高出力デバイスへの適応が期待されているが、その実用化には大口径単結晶ウェハが必要不可欠である。そこで考案されている手法が”モザイク技術”であり、本発表では、電子線後方散乱回折(Electron beam Backscatter Diffraction : EBSD)法を用いて、モザイク結晶の接合された結晶同士の配向性を検討したので報告する。