[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20p-222-6] 交差点を取り除いた格子状核発生領域を用いた反りのない高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製

〇海老澤 芽依¹、児玉 英之¹、鈴木 一博²、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.トウプラスエンジニアリング)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル成長、選択成長