The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Symposium (Oral)

Symposium » Current status and future prospect of atomic layer processes

[20p-223-1~11] Current status and future prospect of atomic layer processes

Thu. Sep 20, 2018 1:45 PM - 6:45 PM 223 (223)

Makoto Sekine(Nagoya Univ.), Takeshi Momose(Univ. of Tokyo), Daisuke Hojo(AIST), Kazuhiro Karahashi(Osaka univ.)

6:15 PM - 6:30 PM

[20p-223-10] In-situ analysis of chlorine adsorption behaviors on Ar ion-irradiated GaN surface

Masaki Hasegawa1, Takayoshi Tsutsumi1, Atsushi Tanide1,2, Hiroki Kondo1, Makoto Sekine1, Kenji Ishikawa1, Masaru Hori1 (1.Nagoya Univ., 2.SCREEN Holdings Co., Ltd.)

Keywords:gallium nitride, etching

Cl原子吸着と低エネルギーイオン照射のステップを繰り返す、窒化ガリウム(GaN)のサイクルプロセス構築には各ステップでの現象の理解が求められる。我々はArイオン照射後のGaN表面へのCl吸着挙動をその場X線光電子分光法で調べた。Clラジカルは反応によりGa金属を揮発脱離させることを確認した。サイクルプロセスによるエッチング深さには、イオン照射によるGa金属リッチ層の形成とその揮発脱離量が大きく影響する。