[20p-223-1~11] アトミックレイヤープロセスの現状と展望

[20p-223-3] 有機トランジスタ用ゲート絶縁膜のALD成膜

〇片山 雅之¹、加藤 哲弥¹、阿南 裕穂¹ (1.デンソー先端研)

キーワード：原子層堆積、有機トランジスタ、ゲート絶縁膜

有機トランジスタは、フレキシブルデバイスの能動素子として注目されている。その性能を向上させるためには、ゲート絶縁膜の品質が重要である。本研究では、有機トランジスタ用ゲート絶縁膜の成膜方法として原子層堆積（ALD）法を用い、高品質な絶縁膜の形成とナノ積層による膜応力の制御を検討した。