[20p-223-1~11] アトミックレイヤープロセスの現状と展望

△ [20p-223-5] ALD による超薄膜Pt 中間層を用いたCu-Cu 低温疑似直接接合

〇(DC)桑江 博之¹、山田 紘右¹、上林 拓海¹、百瀬 渉²、庄子 習一¹、水野 潤¹ (1.早稲田大学、2.ALDジャパン)

キーワード：原子層堆積法、接合、実装

3D/2.5Dパッケージング技術にむけ、ALDにより成膜した超薄膜Pt中間層を用いるCu-Cu低温接合技術を報告する。Pt 中間層を5-20Åの超薄膜することで、接合後にPt はCu 中に低濃度で分散し、疑似直接接合が達成した。加えて、ALD の成長選択性を用いることで、マスクレスでCu 上のみにPt を成膜することが可能となった。