[20p-223-1~11] Current status and future prospect of atomic layer processes

[20p-223-6] Atomic Layer Etching: its Science and Technologies

〇Satoshi Hamaguchi¹, Tomoko Ito¹, Michiro Isobe¹, Kazuhiro Karahashi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:atomic layer etching, ALE, self limiting

本講演では、ALEの概要を紹介したのち、ALEに不可欠な自己停止機構の物理的・化学的メカニズムについて議論する。自己停止機構は、エッチング対象となる物質と使用するプロセスによって大きく異なるため、近年、実用化が期待されるALE技術を例にあげ、その詳細を議論する。ALEは、高アスペクト比の溝（トレンチ）や穴（ビア）構造に対する非等方的エッチングプロセスばかりでなく、入射イオンの届きにくい構造における等方的なエッチングプロセスとしても期待されている。近年のこうした技術的課題とALEによる解決方法についても、その概要を議論する。