[20p-231B-1~14] 12.2 Characterization and Materials Physics

[20p-231B-3] Characterization of carrier doping effects in the DNTT layer with co-deposited F₄TCNQ

〇Koji Matsumura¹, Kana Nakanishi¹, Ryo Yamamoto², Kei Noda² (1.Toray Research Center Inc., 2.Keio University)

Keywords:DNTT, F4TCNQ, OTFT

有機薄膜トランジスタ(OTFT)は、コンタクト電極と半導体層界面に生じる接触抵抗低減を目的として、分子性ドーパントを用いたキャリアドーピング^[1]が行われている。本報では、ジナフトチエノチオフェン(DNTT)に対して、電子受容性ドーパントであるテトラフルオロテトラシアノキノジメタン(F₄TCNQ)を添加した試料において、キャリアドーピングの効果を様々な手法を用いて評価した結果について報告する。