[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-234A-1] [講演奨励賞受賞記念講演] PLD法によるβ-(Ga_1-ySc_y)₂O₃薄膜成長とバンドギャップ変調

〇若林 諒¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、混晶、エピタキシャル成長

今回更なる物性評価に向けてよりSc組成を高めたβ-(Ga_1-ySc_y)₂O₃薄膜の成長を行い，E_gは5.45 eV (y = 0.32) まで増加することを明らかにした．またβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜と比較して，固溶量に対してより大きなE_g増加が見られた．