[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-234A-13] Ar+O₂+H₂スパッタによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの低温形成

〇古田 守¹、Aman S G Mahadhi¹、曲 勇作¹、神寳 健太¹、是友 大地¹ (1.高知工大)

キーワード：In–Ga–Zn–O、薄膜トランジスタ、フレキシブルデバイス

従来のAr+O₂スパッタ法で成膜したIGZOは多くの欠陥準位を含み、適切なTFT特性・信頼性を得るには300℃程度の熱処理が必要であった。低耐熱プラスチック基板上に直接IGZO薄膜トランジスタ(TFT)を作製するには最高プロセス温度を150℃以下にすることがキープロセスとなる。今回我々はAr+O₂+H₂雰囲気でのスパッタ法により、最高プロセス温度150℃にて良好な特性を有するIGZO TFTを実現したので報告する。