[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-14] Ar+O₂+H₂スパッタIn-Ga-Zn-OによるSchottkyダイオード特性向上

〇(DC)曲 勇作¹、濵田 賢一朗¹、増田 健太郎¹、古田 守^1,2 (1.高知工大院、2.高知工大総研)

キーワード：InGaZnO、ショットキーダイオード、フレキシブルデバイス

In-Ga-Zn-O (IGZO)は、高い電界効果移動度を有し、室温成膜可能であることから、フレキシブルデバイスへの応用が期待される。これまで、最高プロセス温度200℃にてPtとIGZOのSchottky接合で、整流比8桁, 障壁高さ0.91 eV, 理想因子1.04のSchottkyダイオード特性が報告されている。我々はIGZOスパッタ時の成膜ガスであるArおよび酸素に加えて水素を導入することで、最高プロセス温度150℃にて整流比10桁, 障壁高さ1.17 eV, 理想因子1.07のSchottkyダイオード特性を実現した。