[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-15] 低温アニール技術による高移動度酸化物TFTの検討

〇森塚 翼¹、藤崎 寿美子¹、内山 博幸² (1.日立製作所、2.日立金属)

キーワード：酸化物半導体、UVアニール

近年a-Siの10倍の移動度をもつ酸化物半導体が注目され実用化が始まっている。
我々はZTO系酸化物と透明電極に使用されるIZOを積層チャネル構造により，高移動度TFTの実現を目指しているが，Vthの制御性に課題があった。そこで，低温かつ，アニール効果の高いUVアニールを検討した結果，Vth制御性と高移動度（30cm2/Vs）を両立し，かつ低温プロセスでの駆動を可能とした。