[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-16] Reliability of In_1-xSi_xO_1-yC_y thin-film transistors with an Al₂O₃ passivation layer under NBIS

〇(D)Kazunori Kurishima^1,2,3, Toshihide Nabatame², Takashi Onaya^1,2,3, Kazuhito Tsukagoshi², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Takahiro Nagata², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.JSPS DC)

Keywords:oxide semiconductor, thin-film transistor, passivation film

原子層堆積(ALD)法で作製したAl₂O₃パッシベーション膜を用いたボトムゲート型Al₂O₃/In_1-xSi_xO_1-yC_y TFTを作製して、NBIS及びNBS測定によるAl₂O₃/In_1-xSi_xO_1-yC_y界面でトラップされている電子のイオン化放出、ホールトラップサイト及び吸着ガスによるホール生成について詳細に議論した結果を報告する。