[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-5] Examination of film formation factor of solid phase epitaxy in room temperature of amorphous Ga₂O₃ by excimer laser annealing

〇(M1)Hiroyuki Morita¹, Tomoaki Oga¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Wide-gap, Room-temperature processing, Solid phase epitaxy

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体である。パルスレーザーを用いる（エキシマレーザーアニーリング）ELAプロセスはバンドギャップに応じた波長を選択することによる半導体の効率的な吸収と、短パルスによるアニーリングにより極短時間の結晶化を誘起できる。本研究ではELAによるβ-Ga₂O₃のエピ合成の作製因子；(1)前駆体アモルファスGa₂O₃の成膜条件 (2)基板や緩衝層など下地との格子ミスマッチ (3)ELA条件 が結晶性・配向性などの構造や電子・光学特性などにおよぼす影響について検討した。