[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-5] アモルファスGa₂O₃薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討

〇(M1)森田 公之¹、大賀 友瑛¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産総技研)

キーワード：ワイドギャップ、室温プロセス、固相エピタキシー

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体である。パルスレーザーを用いる（エキシマレーザーアニーリング）ELAプロセスはバンドギャップに応じた波長を選択することによる半導体の効率的な吸収と、短パルスによるアニーリングにより極短時間の結晶化を誘起できる。本研究ではELAによるβ-Ga₂O₃のエピ合成の作製因子；(1)前駆体アモルファスGa₂O₃の成膜条件 (2)基板や緩衝層など下地との格子ミスマッチ (3)ELA条件 が結晶性・配向性などの構造や電子・光学特性などにおよぼす影響について検討した。