[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-6] Fabrication of Cu doped p type AlO_x thin films by drop photochemical deposition

〇Masanari Umemura¹, Masaya Ichimura¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:aluminum oxide, photochemical deposition, p type

AlO_xは広い禁制帯を有する事から可視光に対して透明であり、化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、溶液への光照射によって安易かつ常温で堆積が可能なドロップ光化学堆積法によるAlO_x堆積を報告しており、薄膜は微小ながらn型の導電性を示した。本研究では、薄膜にCuを添加する事でp型AlO_x薄膜の作製を試みた。結果、高い透過率とガラス基板上での導電性を併せ持つ、p型AlO_x薄膜の作製に成功した。