[20p-234B-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[20p-234B-14] 平面型シリコンナノワイヤ熱電デバイスにおける熱流を制御する最適基板構造

〇(M2)島 圭佑¹、富田 基裕¹、張 慧^1,2、詹 天卓¹、松川 貴³、松木 武雄^1,3、渡邉 孝信¹ (1.早稲田大学、2.群馬大学、3.産総研)

キーワード：熱電、シミュレーション

本研究では平面型シリコンナノワイヤ熱電デバイスにおいて、基板の一部を熱抵抗の小さい材料に置換することで熱流を制御し、ナノワイヤ温度差を増大させて発電性能を向上させられるかを、有限要素法を用いたデバイスシミュレーションによって検討した。計算より、ナノワイヤ低温側に位置する基板材料を置換するだけでなく、低温側の酸化膜厚を局所的に薄くすることで、ナノワイヤに熱流を誘導させ発電性能の向上が可能と考える。