[20p-234B-1~17] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[20p-234B-16] Impact of bonding layer material on the thermal resistance of metal/insulator stack structure

〇(M2)Ryo Yamato¹, Tianzhuo Zhan¹, Motohiro Tomita¹, Mao Xu¹, Hiroki Takezawa¹, Kohei Mesaki¹, Yibin Xu², Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.NIMS)

Keywords:Thermoelectric Generation, bonding layer, Parasitic thermal resistance

IoT推進に伴い微小環境熱から電気を取り出す熱電デバイスの需要が高まっている。発電の高出力化を達成するには、発電部以外の寄生熱抵抗の抑制が重要である。本研究では、熱伝導率が比較的高い絶縁体である窒化アルミニウムを介して金属を堆積させた積層構造を熱伝導層に用いることとし、熱抵抗を抑えるため最適な接合層材料の検討を行った。