[20p-235-1~15] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[20p-235-1] Energy band modulation in β-FeSi₂ films grown by MOCVD

〇Kensuke Akiyama^1,2, Sakiko Nojima¹, Ryo Takahashi¹, Hiroshi Funakuno² (1.Kanagawa Inst., 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron silicide, photoluminescence, band modulation

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂ )は、1.55µm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンス(EL)）が報告され、その実用化には発光特性の制御が求められている。これまでに我々は、Si基板表面の改質を行うことによって合成されたb-FeSi₂薄膜の 10KでのPL発光強度が増大化することを報告した。このPL発光強度の増大化は薄膜内部、およびSiとのヘテロ界面部の非輻射再結合中心密度が低減することに起因すると考える。
本発表では、PL発光のβ-FeSi₂ に起因するA-band・ピークの解析から、成長温度によるエネルギーバンドの変調を報告する