[20p-235-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

[20p-235-1] MOCVD合成したβ-FeSi₂薄膜におけるエネルギーバンド変調

〇秋山 賢輔^1,2、野島 咲子¹、高橋 亮¹、舟窪 浩² (1.神奈川産総研、2.東工大物質理工)

キーワード：鉄シリサイド、フォトルミネッセンス、バンド変調

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂ )は、1.55µm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンス(EL)）が報告され、その実用化には発光特性の制御が求められている。これまでに我々は、Si基板表面の改質を行うことによって合成されたb-FeSi₂薄膜の 10KでのPL発光強度が増大化することを報告した。このPL発光強度の増大化は薄膜内部、およびSiとのヘテロ界面部の非輻射再結合中心密度が低減することに起因すると考える。
本発表では、PL発光のβ-FeSi₂ に起因するA-band・ピークの解析から、成長温度によるエネルギーバンドの変調を報告する